Приглашаем всех желающих на открытый семинар «Основные свойства элементов энергонезависимой резистивной памяти (RRAM) для создания матриц большого объёма и нейроморфных систем»

Ведущий семинара: Сергей Викторович Ковешников, ведущий научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (г. Черноголовка)

Сергей Викторович сделает краткий обзор экспериментальных и теоретических данных, полученных на RRAM-структурах на основе оксида гафния во время его работы в корпорации Intel и Российской Академии Наук, и ответит на следующие вопросы: Что такое RRAM и каковы основные механизмы переключения? Почему, несмотря на продемонстрированные преимущества, элементы резистивной памяти не нашли широкого практического применения? Почему в России нужно серьезно заниматься исследованиями и разработками резистивной памяти?

Семинар состоится 14 января в 16:00 по адресу: ул. Бакинская, 79, отдел «Кванториум» Регионального школьного технопарка, 2 этаж.

При себе иметь вторую обувь/бахилы и защитную маску.